| 專利範圍 |
1.一種高效率磷化鎵銦NIP太陽電池,其結構包括一含鋅
摻雜的砷化鎵基板,其上則依次生長緩衝層,背面場層(
back surface field, BSF),基極層,本質層,射極層,
窗層及覆蓋層,接著鍍前金AuGe及背金AuZn,再用HCl及
H2O把覆蓋層吃掉,最後鍍上一層反反射層,此元件藉由
射極和基極之間加入一層本質型層之結構設計,來阻止鋅
擴散進入射極,以延長少數載子的生命期,而達到提高轉
換效率的目的。
2.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,緩衝層係為一厚度為500nm而鋅摻雜濃度為3
�1018cm-3之砷化鎵層。
3.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,背面場層係為一厚度為300nm而鋅摻雜濃度
為1.5�1018cm-3磷化鎵銦層。
4.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,基極層係為一厚度為1.2���m而鋅摻雜濃度為
2�1017cm-3磷化鎵銦層。
5.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,本質半導體層係為一厚度為300nm之本質型
的磷化鎵銦層。
6.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,射極層係為一厚度為50nm而硒摻雜濃度為3
�1018cm-3之磷化鉀銦層。
7.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,窗層係為一厚度20nm而硒摻雜濃度為3� 1018cm-3之磷化鋁銦層。
8.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,覆蓋層係為一厚度500nm而硒摻雜濃度為1� 1019cm-3之砷化鎵層。
9.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中, HCl及水之比例約為一比二十。
10.如申請專利範圍第1項所述之高效率磷化鎵銦NIP太陽
電池,其中,反反射層係為一厚度為600nm之Si3N4層。
圖示簡單說明:
第一圖(A)P/N型磷化鎵銦太陽電池結構
第一圖(B)N/P型磷化鎵銦太陽電池結構
第一圖(C)NIP型磷化鎵銦太陽電池結構
第二圖具有厚20nm磷化鋁銦窗層之P/N型磷化鎵銦太
陽電池之暗電流一電壓特性圖
第三圖NIP型(M1261, M1118, M1119), N/Pmbox型(
M1044)mbox及P/Nmbox(M1043)型磷化鎵銦太陽電池之量子
轉換效率-波長特性圖
第四圖本創作效率最高之NIP磷化鎵銦太陽電池之詳
細結構圖
第五圖本創作效率最高之NIP磷化鎵銦太陽電池之電
流-電壓特性圖
第六圖電腦模擬N/P型及NIP型磷化鎵銦太陽電池結構
的效率比較圖
表一三種不同之GaInP太陽電池結構在AMO(25℃)下之
量測結量 |
