499_088-033CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 280001 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 多功能砷化鎵電晶體(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1996/07/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 079558 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/07/04 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084107003 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-021/205;H01L-027/105 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 23-19 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 陳榮福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係首先將砷化鎵／砷化銦鎵(GaAs/InGaAs)材料系統與＄－摻雜技術運用於實空間傳導電晶體（Real Space Transfer Transistor)者，且為首次利用歐姆凹槽(ohmic Recession)技術研製成功四端型同時具有場效電晶體（ＦＥＴ）與實空間傳導（ＲＳＴ）特性的元件。本發明之多功能電晶體可應用於高速，低雜訊及高功率之微波振盪器與放大器。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種多功能砷化鎵電晶體,其中之結構(一)係以 成長在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化鎵(n@su+-GaAs) 基板上,成長 0.35���m砷化鎵(2�10@su1@su5cm@su-@su3),接著為0.15 ���m砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),20nm之n型砷化 鎵(n@su+-GaAs),(5�10@su1@su8cm@su-@su3),最後為 50nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3)。 2. 一種多功能砷化鎵電晶體,其中之結構(二)係以 成長在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化鎵(n@su+-GaAs) 基板上,成長 0.35���m砷化鎵(2�10@su1@su5cm@su-@su3),接著為0.15 ���m砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),���—矽摻雜層( silicon ���—doping layer)5.5�10@su1@su2cm@su-@su2 ),最後為50nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3)。 3. 一種多功能砷化鎵電晶體,其中之結構(三)係以 成長在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化鎵(n@su+-GaAs) 基板上,成長 0.35���m砷化鎵(2�10@su1@su5cm@su-@su3),接著為0.15 ���m砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),9nm未摻雜砷化 銦鎵層(undoped In@ss0@ss.@ss2@ss5Ga@ss0@ss.@ss7@ ss5As layer),10nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3) ,���—矽摻雜層(silicon ���—doping layer)2.5�10@ su1@su2cm@su-@su2),最後為50nm砷化鎵(5�10@su1@ su4cm@su-@su3)。 4. 一種多功能砷化鎵電晶體,其中之結構(四)係以 成長在10@su1@su9cm@su-@su3之n型砷化鎵(n@su+-GaAs) 基板上,成長 0.35���m砷化鎵(2�10@su1@su5cm@su-@su3),接著為0.15 ���m砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),���—矽摻雜層( silicon ���—doping layer)1.6�10@su1@su2cm@su-@ su24nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),���—矽摻雜 層(silicon ���—doping layer)1.6�10@su1@su2cm@su-@ su210nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@su3),9nm未摻雜 砷化銦鎵層(undoped In@ss0@ss.@ss2@ss5Ga@ss0@ss.@ ss7@ss5As layer),10nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@ su3),���—矽摻雜層(silicon ���—doping layer)1.6� 10@su1@su2cm@su-@su24nm砷化鎵(5�10@su1@su4cm@su-@ su3),���—矽摻雜層(silicon ���—doping layer)1.6� 10@su1@su2cm@su-@su2,最後為50nm砷化鎵(5�10@su1@ su4cm@su-@su3)。 5. 一種製作多功能砷化鎵電晶體結構方法,係以低壓有 機金屬汽相沉積(LP—MOCVD)法成長在n型砷化鎵(n@su+- GaAs)基板上,進行隔絕島的製作、歐姆接觸的金屬化( ohmic contact metalization)、肖特基(Schottky)接觸 的金屬化,而後進行有機金屬汽相沉積法成長(MOCVD)。 6. 如申請專利範圍第5項之方法,其隔絕島的製作係上光 阻、曝光、顯影後以氨水:雙氧水:水(5:3:100)溶液 蝕刻至非摻雜砷化鎵(undoped GaAs)緩衝層,作為隔絕島 再用丙酮去除光阻。 7. 如申請專利範圍第5項之方法,其歐姆接觸的金屬化( ohmic contact metalization)係以金佔88%,鍺佔12%之 金鍺合金作為汲極、源極與基板背面集極之歐姆接觸材料 ,經上光阻、曝光、顯影、蝕刻覆蓋層,形成歐姆凹槽, 並於其上鍍一層銀,再經清洗步驟去除油脂,以正光阻劑 作出汲極和源極的光罩。 圖示簡單說明: 表(1)成長條件 表(2)結構各層之傳輸資料 圖1均勻摻雜(uniformly doped)結構(一) 1 源極(source) 2 閘極(gate) 3 汲極(drain) 4 集極(collector) 圖2���—摻雜砷化鎵通道(delta—doped GaAs channel)結 構(二) 1 源極(source) 2 閘極(gate) 3 汲極(drain) 4 集極(collector) 5 ���—摻雜通道(delta—doped channel) 圖3單層���—摻雜砷化銦鎵通道(InGaAs channel)結構(三 ) 1 源極(source) 2 閘極(gate) 3 汲極(drain) 4 集極(collector) 5 ���—摻雜通道(delta—doped channel) 圖4多層���—摻雜砷化銦鎵通道結構(四) 1 源極(source) 2 閘極(gate) 3 汲極(drain) 4 集極(collector) 5 ���1—摻雜通道(delta—doped channel) 6 ���2—摻雜通道(delta—doped channel) 7 ���3—摻雜通道(delta—doped channel) |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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