| 專利範圍 |
1.一種低溫液相III-V族半導體氧化絕緣層之製程,其製
程係為一成長系統,該成長系統係含一恆溫水槽、一攪拌
系統、一晶圓夾具以及一III-V族半導體晶圓,其製程如
下:a.以偏酸性IIIA族金屬硝酸鹽溶液與氨水配製一薄膜
成長溶液置於該成長系統內;以及b.將該III-V族半導體
晶圓清洗後置入該薄膜成長溶液中以成長該氧化絕緣層。
2.如申請專利範圍第1項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該薄膜成長溶液配製之方法如下:
用氨水稀釋後之溶液摻至一偏酸性IIIA族金屬硝酸鹽溶液
稀釋後之溶液中,調配至一PH値,將之過濾即為該IIIA金
屬族水合氧化物之溶液。
3.如申請專利範圍第2項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該PH値係界於4.0與4.5之間,用以
於一定之速率成長該氧化絕緣層。
4.如申請專利範圍第2項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中所謂將之過濾係以一10-6m孔徑之
濾紙為之。
5.如申請專利範圍第2項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該氨水之濃度為28%。
6.如申請專利範圍第2項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該偏酸性IIIA族金屬硝酸鹽溶液係
用2.25M(莫耳/公升)之IIIA金屬硝酸鹽溶液加至一濃度
為70%的硝酸溶液中為之。
7.如申請專利範圍第2項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該稀釋之方法係以純水為之。
8.如申請專利範圍第1項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,其中該III-V族半導體晶圓清洗後置入
該薄膜成長溶液之清洗係為一丙酮、甲醇、去離子水之標
準清洗程序。
9.如申請專利範圍第1項所述之低溫液相III-V族半導體氧
化絕緣層之製程,因應於一特定區域中不成長該氧化絕緣
層,該步驟b係為:將該III-V族半導體晶圓清洗後,將一
光阻塗佈於該特定區域,置入該薄膜成長溶液中以成長該
氧化絕緣層,以有機溶劑去除該光阻。
10.如申請專利範圍第9項所述之低溫液相III-V族半導體
氧化絕緣層之製程,其中該III-V族半導體晶圓清洗後置
入該薄膜成長溶液之清洗係為一丙酮、甲醇、去離子水之
標準清洗程序。
11.如申請專利範圍第9項所述之低溫液相III-V族半導體
氧化絕緣層之製程,其中該光阻係為一貴金屬膜與一光阻
膜其中之一種。
12.如申請專利範圍第11項所述之低溫液相III-V族半導體
氧化絕緣層之製程,其中該貴金屬膜為金與鉑之一種。
13.如申請專利範圍第1項所述之低溫液相III-V族半導體
氧化絕緣層之製程,其中該III-V族半導體晶圓長出該氧
化絕緣層之後係經去離子水沖洗、氮氣吹乾、再於一120
℃烤箱中烤乾殘餘水汽。
14.如申請專利範圍第1項所述之低溫液相III-V族半導體
氧化絕緣層之製程,該製程係於一室溫至90℃之溫度下為
之。圖式簡單說明:第一圖:應用於砷化鎵的低溫液相氧
化系統圖。第二圖:化學輔助低溫液相氧化法成長溶液配
製流程圖。第三圖:化學輔助低溫液相氧化法實施流程圖
。第四圖:應用化學輔助低溫液相氧化法於選擇性氧化製
程示意圖。 |
