506_088-028CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 316335 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 形成碳化矽透明電極之方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1997/09/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 089747 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1996/05/03 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 085105341 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-029/43;H01L-029/45;H01L-029/47 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 24-27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本案提供一種形成碳化矽透明電極之方法，其係可於一反應器內遂行之，該方法之步驟係可包括:（a）提供一矽基板，並於其上成長一碳化矽物質；以及（ｂ）成長一透明導電物質於該碳化矽物質上；藉由該步驟（ｂ）中所成長之該透明導電物質，俾得一高透光率及高效率之碳化矽透明電極。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1.一種形成碳化矽透明電極之方法,其係可於一反應器內 遂行之,該方法之步驟係可包括: (a)提供一矽基板,並於其上成長一碳化矽物質;以及 (b)成長一透明導電物質於該碳化矽物質上; 藉由該步驟(b)中所成長之該透明導電物質,俾得一高透 光率及高效率之碳化矽透明電極。 2.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中該反應器係為使用化學氣相沉積法(CVD)之反應 器。 3.如申請專利範圍第2項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中該化學氣相沉積法係可為快速化學氣相沉積法( RTCVD)。 4.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該步驟(a)中,該矽基板係可為一P型矽基板 。 5.如申請專利範圍第4項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該步驟(a)中,該碳化矽物質係為一N型矽基 板。 6.如申請專利範圍第5項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該步驟(a)中,該N型碳化矽物質係於該P型 矽基板上成長而成。 7.如申請專利範圍第6項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該步驟(b)中,該透明導電物質係為銦錫氧化 物(Indium Tin Oxide 1TO)透明電極。 8.如申請專利範圍第7項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該銦錫氧化物透明電極係為碳化矽透明歐姆電 極。 9.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之方 法,其中於該步驟(a)中,該矽基板係可為一N型矽基板 。 10.如申請專利範圍第9項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(a)中,該碳化矽物質係為一P型碳 化矽物質。 11.如申請專利範圍第10項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(a)中,該P型碳化矽物質係於該N 型矽基板上成長而成。 12.如申請專利範圍第11項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該P型碳化矽物質係以氫化硼(B2H6)為摻雜源 。 13.如申請專利範圍第12項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(b)中,該透明導電物質係為銦錫氧 化物(Indium Tin Oxide 1TO)透明電極。 14.如申請專利範圍第13項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該銦錫氧化物透明電極係為碳化矽透明蕭特基 整流電極。 15.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(a)中,該碳化矽物質係為一碳化矽 薄膜。 16.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(b)中,該透明導電物質係可以濺射 方法成長於該碳化矽物質上。 17.如申請專利範圍第16項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該濺射方法係操作於一氧氣濃度為20%([O2 ]/[O2]+[Ar])之系統中。 18.如申請專利範圍第16項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該濺射方法係以氧化銦與氧化錫的混合物( In2O3-SnO2)為靶材。 19.如申請專利範圍第18項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該氧化銦與氧化錫的混合物(In2O3-SnO2)係由 90%In2O3-10%SnO2所組成。 20.如申請專利範圍第16項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該濺射方法係以150W-300W為濺射功率。 21.如申請專利範圍第16項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中該濺射方法係操作於10-110-3Torr之工作壓力 下。 22.如申請專利範圍第16項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該濺射方法係操作於300K475K之基板溫度下 。 23.如申請專利範圍第1項所述之形成碳化矽透明電極之 方法,其中於該步驟(b)中,該透明導電物質係可以蒸著 方法成長於該碳化矽物質上。 圖示簡單說明: 第一圖:係為本案之一較佳實施例結構示意圖。 第二圖:係為本案之另一較佳實施例結構示意圖。 第三圖:係為本案銦錫氧化物透明電極於不同基板溫 度下之片電阻値。 第四圖:係為本案銦錫氧化物透明電極對於可見光之 穿透率隨不同基板溫度變化的情形。 第五圖:係為本案銦錫氧化物/N型���-SiC透明歐姆 電極之電流一電壓特性曲線圖。 第六圖:係為本案於不同操作溫度下所得之特殊接觸 電阻値。 第七圖:係為本案銦錫氧化物/P型���-SiC透明蕭特 基整流二極體之電流一電壓特性曲線圖。 第八圖:係為本案銦錫氧化物/P型���-SiC透明蕭特 基整流二極體於不同操作溫度下所得之理想因素曲線圖。 第九圖:係為本案經由電容一電壓量測所得之障壁高 度。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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