511_088-026CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 260832 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 以發光二極體與異質接面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/10/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 074293 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/02/24 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084101747 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/296;H01L-031/304 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 22-30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本案係一種以發光二極體與異質接面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法，其步驟包括：(１) 形成一發光二極體結構於一基板之一面，俾做為該光頻率轉換器之光輸出元件； (２) 形成一Au/Ge層於該基板之另一面； (３)形成一銦錫氧化物層 ( Indium－Tin－Oxide ) 附著於該 Au／Ge層； (４) 於電漿強化化學氣相沈積 ( PECVD ) 系統中，形成一正型／本質型／負型 (p－i－n) 結構之異質接面二極體附著於該銦錫氧化物層，俾做為該光頻率轉換器之光吸收元件；俾得一光頻率轉換元件，且因該PECVD系統屬於一低溫製程，可保持該異 質接面二極體原來之最佳特性，此外，以非晶矽為p－i－n異質接面二極體之材料，可降低成本。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種以發光二極體與異質接面二極體接合而成之光頻 率轉換器之製造方法,其步驟包括: 形成一發光二極體結構於一基板之一面,俾做為該光 頻率轉換器之光輸出元件; 形成一Au/Ge層於該基板之另一面; 形成一銦錫氧化物層(Indium-Tin-Oxide)附著於該Au/ Ge層; 於電漿強化化學氣相沈積(PECVD)系統中,形成一正型 /本質型/負型(p-i-n)結構之異質接面二極體附著於該銦 錫氧化物層,俾做為該光頻率轉換器之光吸收元件; 其中,該PECVD系統屬於一低溫製程,以PECVD系統可於該 光頻率轉換器之製程中保持該異質接面二極體原來之最佳 特性。 2. 如申請專利範圍第1項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,於步驟(1) ,(2)之間更包括一步驟:對該基板進行拋光處理。 3. 如申請專利範圍第2項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,於步驟(1) 中,更包括鍍一層鋁於該發光二極體結構之上,俾做為該 光頻率轉換器之電極。 4. 如申請專利範圍第3項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,於步驟(4) 之後更包括一步驟:形成一銦錫氧化物層貼附於該異質接 面二極體一面。 5. 如申請專利範圍第4項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二極 體係由Ⅱ-Ⅵ族複合材料所構成。 6. 如申請專利範圍第5項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二極 體係由ZnSe所構成之藍光發光二極體。 7. 如申請專利範圍第4項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二極 體係由Ⅲ-Ⅴ族複合材料所構成。 8. 如申請專利範圍第7項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二極 體係由GaAlAs所構成之紅光發光二極體。 9. 如申請專利範圍第7項所述之以發光二極體與異質接面 二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二極 體係由GaAsP所構成之黃光發光二極體。 10. 如申請專利範圍第7項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二 極體係由GaAlAsP所構成之紅外光發光二極體。 11. 如申請專利範圍第7項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該發光二 極體係由GaAsP所構成之紅光發光二極體,且該基板係以 負型GaAs(n-GaAs)為材質。 12. 如申請專利範圍第11項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該GaAsP 紅光發光二極體之結構為n-GaAs@ss1@ss-@ssxP@ssx(X=0 →0.4)/n-GaAs@ss1@ss-@ssxP@ssx(X=0.4)p-GaAs@ss1@ss -@ssxP@ssx;其中X=0→0.4表示原子組成比例由0漸變到0 .4, X=0.4表示原子組成比例為0.4,該n-GaAs@ss1@ss-@ ssxP@ssx(X=0→0.4)之厚度可為10�m,而該n-GaAs@ss1@ ss-@ssxP@ssx(x=0.4)層之厚度可為20�m,該p-GaAs@ss1 @ss-@ssxP@ssx層之厚度可為2�m。 13. 如申請專利範圍第12項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該基板之 厚度可為300�m。 14. 如申請專利範圍第13項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該異質接 面二極體之結構為正型非晶碳化矽氫/本質型非晶矽氫/負 型非晶矽氫,(p-a-SiC:H/i-a-Si:H/n-a-Si:H)其中p- a-SiC:H之厚度40@fc(1.frch)8, i-a-Si:H之厚度可為 200-2000@fc(1.frch)8, n-a-Si:H之厚度可為300@fc(1. frch)8。 15. 如申請專利範圍第14項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,該銦錫氧 化物層之厚度可為1000@fc(1.frch)8。 16. 如申請專利範圍第1項所述之以發光二極體與異質接 面二極體接合而成之光頻率轉換器之製造方法,步驟(4) 中之低溫約為約250℃。 17. 一種以發光二極體與異質接面二極體接合而成之光頻 率轉換器,包括: 一發光二極體結構於一基板之一面,俾做為該光頻率轉換 器之光輸出元件; 一Au/Ge層於該基板之另一面; 一銦錫氧化物層(Indium-Tin-Oxide)附著於該Au/Ge層; 一非晶矽正型/本質型/負型(p-i-n)結構之異質接面二極 體附著於該銦錫氧化物層,俾做為該光頻率轉換器之光吸 收元件。 18. 如申請專利範圍第17項之以發光二極體與異質接面二 極體接合而成之光頻率轉換器,其中該發光二極體為 GaAsP紅光發光二極體,其結構為n-GaAs@ss1@ss-@ssxP@ ssx(X=0→0.4)/n-GaAs@ss1@ss-@ssxP@ssx(X=0.4)/p- GaAs@ss1@ss-@ssxP@ssx;其中X=0→0.4表示原子組成比 例由0漸變到0.4, X=0.4表示原子組成比例為0.4;該非晶 矽異質接面二極體之結構為正型非晶碳化矽氫/本質型非 晶矽氫/負型非晶矽氫,且該基板係一n-GaAs基板。 19. 一種緩衝層結構,其係由金屬與銦錫氧化物層所構成 ,其係做為一高品質非晶矽材料與一由Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族 所成之基板間之緩衝層(buffer-layer),該金屬層係以能 與該基板形成歐姆接觸者。 20. 如申請專利範圍第19項所述之緩衝層結構,該基板為 GaAs時,該金屬為Au/Ge。 圖示簡單說明: 第一圖:係本案光頻率轉換元件之等效電路圖。 第二圖:係本案光頻率轉換元件之一較佳實施例結構示意 圖。 第三圖:係本案非晶矽pin異質接面二極體於i-a-Si:H層 厚度為200@fc(1.frch)8,400@fc(1.frch)8,900@fc(1. frch)8之光譜響應圖。 第四圖:係本案非晶矽pin異質接面二極體於i-a-Si:H層 厚度由200@fc(1.frch)8變化到2000@fc(1.frch)8時,峰 値與i-a-Si:H層厚度之關係圖。 第五圖:係本案光頻率轉換器之一較佳實施例(吸收藍光 發出紅光)之照光響應圖。 第六圖:係本案以吸收藍光輸出紅光為例之光頻率轉換器 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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