512_088-025CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 301064 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 一種高速紅外線感測的光電場效體通道電晶體(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1997/03/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 085830 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1996/07/08 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 085108216 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/09 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 24-09 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 陳榮福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明係以鈦酸鉛鐵電薄膜作為紅外線感測材料，係以金屬／鐵電薄膜／p-n接面異型基板（metal/ ferroelectric thin film/semiconductor)，該電晶體之整體架構為p-n接面之矽基板，鐵電薄膜（ferroelectric thin film)；閘極、源極、吸極、背極。再配合具有高移動率之快速體通道（bulk channel)場效電晶體結構，以得到高速響應。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種紅外線光電體通道場效電晶體,其係具有金屬/ 鐵電薄膜/p-n(metal/ferroelectric thin film/ semiconductor)之體通道場效電晶體結構。 2. 如申請專利範圍第1項電晶體,其鐵電薄膜係由鈦酸鉛 熱電材料構成。 3. 如申請專利範圍第1項電晶體,其鐵電薄膜係由PZT(鈦 酸鉛—鋯酸鉛)熱電材料構成。 4. 如申請專利範圍第1項電晶體,其半導體材料基板可選 用IV族矽(si)或II-V族硫化鎘(CdS)或III-V族砷化鎵( GaAs)之一複合材料構成。 5. 如申請專利範圍第1項電晶體,其閘極金屬電極可為金 (Au)或鉻(Cr)。 6. 一種紅外線光電體通道場效電晶體製備方法,其鈦酸 鉛鐵電薄膜之成長方法可為射頻濺鍍(RF Sputte-ring)或 雷射蒸鍍(Laser evaporation)。 圖示簡單說明: 圖一體通道紅外線光電場效電晶體結構 1. . .源極@fl (source) 2. . .閘極@fl (gate) 3. . .吸極@fl (drain) 4. . .p-n接面之矽基板(p-n Si semiconductor) 5. . .鐵電薄膜@fl (ferroelectric thin film) 6. . .背極@fl (substrate) 圖二曝於不同紅外線中之吸極電流/吸極電壓典型曲線圖 :從下往上分別為0.200uW,500uW,800uW紅外線強度(垂 直軸:50u A/div,水平軸:0.8V/div) 圖三不同紅外線強度對吸極電流的影響, Id, dark表示吸 極暗電流, Id為吸極電流。 圖四體通道紅外線光電場效電晶體之時間響應垂直軸:1V /div,水平軸:10u s/div) 圖五極化處理後,在鐵電薄膜/半導體介面處之能帶圖 (a)未曝光 (b)曝光 501. . .鐵電@fl (ferroelectric) 502. . .n區@fl (n layer) 503. . .@fl (Ec) 504. . .@fl (Ev) |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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