508_088-027CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 266329 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 金屬/鐵電薄膜/同質異型接面基板結構之紅外線感測器(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/12/21 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 076121 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1995/03/22 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 084102805 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-033/00 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 22-36 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本案係關於一種金屬／鐵電薄膜／同質異型接面基板結構之紅外線感測器，其包括：一同質異型接面基板，其係具有p-n接面之矽基板；一鐵電薄膜，設於該同質異型接面基板之上，用以感測紅外線；一金屬薄膜，設於該鐵電薄膜之上；用以做為該紅外線感測器之接光電極；俾得一可於室溫操作，高靈敏度，高速且能獨立作光切換開關動作之紅外線光感測器。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1. 一種金屬/鐵電薄膜/同質異型接面基板結構之紅外 線感測器,其包括: 一同質異型接面基板,其係具有p-n接面之矽基板; 一鐵電薄膜,設於該同質異型接面基板之上,用以感測紅 外線; 一金屬薄膜,設於該鐵電薄膜之上;用以做為該紅外線感 測器之接光電極。 2. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該同質異型接面基板係 n/p@su+型矽基板。 3. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該同質異型接面基板係 n/p@su+型矽基板。 4. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該鐵電薄膜係鈦酸鉛鐵 電薄膜。 5. 如申請專利範圍第4項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該鈦酸鉛鐵電薄膜之厚 度為200@fc(1.frch)8-1000@fc(1.frch)8。 6. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該鐵電薄膜係鈦酸鉛鋯 (PbZr@ss0@ss.@ss5@ss3Ti@ss0@ss.@ss4@ss7O@ss3)鐵電 薄膜。 7. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該金屬薄膜係金。 8. 如申請專利範圍第1項所述之金屬/鐵電薄膜/同質異 型接面基板結構之紅外線感測器,該紅外線感測器更包括 一鋁薄膜設於該矽基板之另一面,俾做為接觸電極。 9. 一種製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線感測器之方法,包括 : 以射頻磁控濺鍍系統形成一鈦酸鉛鐵電薄膜於一同質異型 接面矽基板上; 蒸著一第一金屬薄膜於該鈦酸鉛鐵電薄膜上; 蒸著一第二金屬薄膜於該矽基板之另一面,俾形成一鈦酸 鉛鐵電薄膜紅外線感測器。 10. 如申請專利範圍第9項之製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線 感測器之方法,該射頻磁控測鍍系統之濺鍍靶直徑為5cm ,靶一試件座距為5cm,成長功率為100w,濺射氣體為Ar( 90%)+O@ss2(10%),成長壓力為6mtorr,基板溫度為500℃ 。 11. 如申請專利範圍第9項之製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線 感測器之方法,該第一金屬薄膜係金。 12. 如申請專利範圍第9項之製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線 感測器之方法,該第二金屬薄膜係鋁。 13. 如申請專利範圍第9項之製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線 感測器之方法,該同質異型接面矽基板係n/p@su+型矽基 板。 14. 如申請專利範圍第9項之製造鈦酸鉛鐵電薄膜紅外線 感測器之方法,該同質異型接面矽基板係n/p@su+型矽基 板。 15. 一種製造鈦酸鉛鋯鐵電薄膜紅外線感測器之方法,包 括: 以KrF脈波式雷射光蒸鍍成長系統成長一鈦酸鉛鋯鐵電薄 膜於一同質異型接面矽基板上; 蒸著一第一金屬薄膜於該鈦酸鉛鋯鐵電薄膜上; 蒸著一第二金屬薄膜於該矽基板之另一面,俾形成一鈦酸 鉛鋯鐵電薄膜紅外線感測器。 16. 如申請專利範圍第15項所述之製造鈦酸鉛鋯鐵電薄膜 紅外線感測器之方法,該KrF脈波式雷射光蒸鍍成長系統 成長該鈦酸鉛鋯鐵電薄膜之條件為:248nm之雷射光波長 ,25ns之脈波寬度,3HZ之操作頻率,以及400mj之輸出能 量。 17. 如申請專利範圍第15項所述之製造鈦酸鉛鋯鐵電薄膜 紅外線感測器之方法,該第一金屬薄膜係金,該第二金屬 薄膜係鋁。 18. 如申請專利範圍第15項所述之製造鈦酸鉛鋯鐵電薄膜 紅外線感測器之方法,該同質異型接面矽基板係n/p@su+ 型矽基板。 19. 如申請專利範圍第15項所述之製造鈦酸鉛鋯鐵電薄膜 紅外線感測器之方法,該同質異型接面矽基板係p/n@su+ 型矽基板。 圖示簡單說明: 第一圖:係本案之一較佳實施例結構示意圖。 第二圖:係鈦酸鉛鐵電薄膜之厚度與感測紅外線之靈敏度 之關係圖。 第三圖:係厚度500@fc(1.frch)8之鈦酸鉛鐵電薄膜紅外 線感測器曝於不同紅外線強度之電流/電壓曲線圖。 第四圖:係本案感測器被紅外線切換,由off-state轉換 |
|||||||||||||||||||||||||||||
| 專利權異動 |
|
||||||||||||||||||||||||||||
| 申請案件狀態 |
|
瀏覽數:
分享