514_088-023CP-TW

公告號

309627

專利名稱

一種含碳化矽與矽(β-SiC/Si)之異質接面反向二極體(全文下載)

公告/公開日

1997/07/01

證書號

087932

申請日

1996/01/16

申請號

085100458

國際分類

H01L-021/205;H01L-029/866

公報卷期

24-19

發明人

方炎坤
黃俊達

申請人

行政院國家科學委員會台北巿和平東路二段一○六號十八樓

代理人名

陳井星

摘要

本發明係以一種新的結構，在Ｐ型的矽基板上成長碳化矽薄膜而得到寬廣操作溫度、高順向切入電壓的反向異質接面二極體。此種異質接面反向二極體於產業上適宜取代傳統反向二極體及透納二極體應用於微波探測及混波。

專利範圍

1.一種異質接面反向二極體,其係採用n型碳化矽(SiC)和
P型矽或P型碳化矽和n型矽,形成一種異質接面反向二極
體。
2.如申請專利範圍第1項之異質接面反向二極體,具有高
達180℃之寬操作溫度、及4V之高順向切入電壓。
3.一種異質接面反向二極體之製造方法,係採用快速化學
氣相沉積系統(RTCVD)或傳統的化學氣相沉積系統,並採
用n型碳化矽(SiC)和P型矽或P型碳化矽和n型矽,在矽基
板上製造得到具有高達180℃之寬廣操作溫度及4V高順向
切入電壓之異質接面反向二極體。
圖示簡單說明:
圖一為透納二極體、反向二極體和傳統P/N接面二極
體的典型I/V特性曲線
圖二異質接面反向二極體之構造
圖三�-SiC/P-Si異質接面反向二極體的I/V特性曲線
圖四(a)反向二極體在逆向偏壓下的能帶圖
(b)例舉某些可能的穿透路徑
圖五�値和溫度的關係

雜項資料

專利權異動

專利申
請案號

授權
註記

質權
註記

讓與
註記

繼承
註記

信託
註記

異議
註記

舉發
註記

消滅
日期

撤銷
日期

專利權
始日

專利權
止日

年費有
效日期

年費有
效年次

085100458

無

19970701

20160115

20110630

14

申請案件狀態

專利申請案號	狀態異動日期	案件申請日期	實體審查申請日	相關申請案號	公開號	公告號	證書號	證書型別	狀態異動資料
085100458	19970701	19960116				309627	087932	發明	初審核准