515_088-022CP-TW
發佈日期 :
2009-04-30
| 227629 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 高感度高電流光接收器(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/08/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 067196 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1993/10/30 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 082109079 | |||||||||||||||||||||||||||||
| H01L-031/10 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 21-22 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本發明之光接收器及是利用能障型光電晶體（Bulk barrier photo transistors)的架構，並以非晶矽鍺作為吸光材料，其間並在光電晶體的集極和基極間加入一層半絕緣材料作為能障增進層，而製造出的能障型異質接 面光電晶體，其可改善傳統的PIN二極體或蕭特基(Schottky)二極體元件的靈敏度低及漏電流大等問題。故本發明之能障型異質接面光電晶體為具有光 增益，可放大光訊號，並有高靈敏度的紅外線感測器。另外，本紅外線感測器在低溫低壓下可使用PECVD的方式大面積地成長非晶矽及其合金，可降低成本，並 且有量產的實用性。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1﹒一種高感度高電流光接收器,其包括: 基板;一集極層,該集極層位於該基板上 ,且係以非晶矽鍺材料形成;一基極層, 該基極層位於該集極層上,且係以非晶矽 材料形成;一射極層,該射極層位於該基 極層上,其係以非晶矽材料形成;及一鋁 層,該鋁層位於該射極層上; 其特徵在於更包括:一能障增進層, 此能障增進層位於該集極層及該基極層之 間,且係以一半絕緣材料形成。 2﹒如申請專利範圍第1項之高感度高電流光 接收器,其中,該基板係由在玻璃上蒸鍍 一層透明導電氧化物而形成。 3﹒如申請專利範圍第1項之高感度高電流光 接收器,其中,該集極層係由在一層n+ 型非晶矽鍺材料上沈積一層本質非晶矽鍺 材料而形成。 4﹒如申請專利範圍第1項之高感度高電流光 接收器,其中,該基極層係由一層P+型 非晶矽材料形成。 5﹒如申請專利範圍第1項之高感度高電流光 接收器,其中,該射極層係由在一層本質 非晶矽材料上沈積一層n+型非晶矽材料 而形成。 6﹒如申請專利範圍第1項之高感度高電流光 接收器,其中,該半絕緣材料為本質非晶 矽碳。 7﹒如申請專利範圍第2項之高感度高電流光 接收器,其中,該透明導電氧化物為氧化 錫。 8﹒如申請專利範圍第3項之高感度高電流光 接收器,其中,該本質非晶矽鍺材料之沈 積厚度可為3000A至7000A,以分別吸收 波長為7500A至8300A的紅外線。 圖示簡單說明: 第l圖係本發明之非晶矽/非晶矽鍺 能障型異質接面電晶體的元件架構截面示 意圖; 第2圖係本發明之非晶矽/非晶矽鍺 能障型異質接面電晶體在集極與射極間偏 壓Vce大於零時之能帶圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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