492_088-037CP-JP
發佈日期 :
2009-04-30
| 123918 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 超微粒氮化鋁粉末之製造方法(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1989/12/01 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 036148 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1989/04/27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 078103182 | |||||||||||||||||||||||||||||
| B22F-009/04 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 16-34 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 周良謀;洪澄文 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1﹒一種製造氮化鋁粉末之方法;包括; a﹒ 將���相氧化鋁細粉末,礦黑細紛末以及高 純度氦化鋁粉末在液體分散媒質內充分混 合,其中氧化鋁與碳黑之重量比率為1﹒ 6:1至2﹒5:1,而高純度氮化鋁之 重量比率為氧化鋁與碳黑之總重的1─5 wt%; b﹒將上述混合均勻之混合物壓 成成形品; c﹒將上述成型品在氮氣氣氛 內於1550℃-1650℃加熱以還原 氮化; d﹒將經加熱之成形品取出並於6 00─700℃加熱5─7小時以除去碳 。 2﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 氮化鋁細粉末為平均粒徑約0﹒4um者 。 3﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 碳黑之平均粒徑約O﹒8um者。 4﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 所用氧化鋁與碳黑比率為2:1者。 5﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 在步驟a﹒及b﹒之間另加入造粒之步驟 者。 6﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 之混合均勻的混合及取約1g1000─ 4000kg/cm2之壓力,壓成直徑 約15mm,厚度約1─5mm之薄片者 。 7﹒如申請專利範圍第6項所述之方法,其中 成型之壓力為約2830kg/cm2者 。 8﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 之步驟c﹒之加熱乃在1600℃進行者 。 9﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 步驟c﹒中進入之氮氣流量為100─3 00cc/分者。 10﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 步驟C﹒之還原氮化,乃是將成形品置於 Al203之多孔板上進行者。 11﹒如申請專利範圍第1項所述之方法,其中 步驟c﹒之還原氮化之加熱之持溫時間為 3─5小時者。 圖示簡單說明 第1圖是不同Al2O3/C重量比率所 合成粉末之SEM觀察圖; 第2圖是不同含碳量在1600℃恆溫7 小時後之X光繞射圖; 第3圖是含碳量與氮化鋁形成率之關係圖 ; 第4圖是添加劑(AlN)對粉末影響之 SEM觀察圖; 第5圖是添加氮化鋁對於反應影響之X光 繞射圖; 第6圖是添加5we%AlN所合成之粉 末之壓力壓成成形品在爐中以反應溫度160 0℃恆溫7小時N2氣流量200cc/分與 日本德山曹達粉末(A)之X光繞射圖比較; 第7圖是表示造粒後之粉末經乾壓成形之 壓力效應圖; 第8圖是不同重量之對照組(2/1)粉 末經壓形,反應後之X光繞射圖: 第9圖是表示試片重量與氮化鋁形成率之 關係圖; 第10圖是薄片試樣放置在具有連通孔隙 氧化鋁板上還原氮化鋁之示意圖; 第11圖是理論組(2﹒83/1)成形 試片經不同溫度反應後之X之光繞射圖: 第12圖是對照組(2/1)成形試片經 不同溫度反應後之X光繞射圖; 第13圖是對照組(2/1)試片經不同 溫度反應後之SEM觀察圖; 第14圖是不同反應溫度之氮化鋁形成率 ; 第15圖是碳黑粉末石墨化(結晶化)光 繞射圖; 第16圖是理論組(2﹒83/1)成形 粉末1600℃經不同時間反應後之X光繞射 圖; 第17圖是對照組(28/1)成形粉末 在1600℃經不同時間反應後之X光繞射圖 ; 第18圖是對照組(2/1)成形粉末在 1600℃不同恆溫時間之SEM觀察圖; 第19圖是在不同氮氣流量下所合成之A IN粉末之SEM觀察圖; 第20圖是氮氣流量與氮化鋁形成率之關 係圖; 圖21圖是在不同氮氣流量下於1600 ℃反應後所合成之粉末之X光繞射圖; 第22圖是本發明之氮化鋁還原氦化法之 可能機構示意圖。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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