447_088-070CP-JP
發佈日期 :
2009-04-30
| 225013 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 大電流之氣體感測器(全文下載) | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1994/06/11 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 066648 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1993/07/27 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 082105962 | |||||||||||||||||||||||||||||
| G05D-021/02 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 21-17 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 蔡清福 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 本案為一種大電流之氣體感測器，包括：一第一半導體具有第一表面及第二表面：一半導體薄層接合於第一表面，當感測到某一氣體時，其將會增加導電率；一絕緣體薄層，其與該半導體薄層並聯接在第一表面，在足夠的電壓之下，該絕緣體薄層，可以通過穿透電流，而呈導通狀態；二電極，其由第二金屬形成之陽極，係電連接於該第二表面，而其由第一金屬形成之陰極，並聯接合該絕緣體薄層及半導體薄層，俾使該感測器，當未感測有某一氣體時，該氣體感測器係呈ON狀態，於感測到有該某一氣體時，該氣體感測器係呈OFF 狀態。本案之目的為可以提供一大電流，高靈敏度，而且可在室溫下使用，安全性較高之氣體感測器。 | |||||||||||||||||||||||||||||
| 1﹒一種大電流之氣體感測器,包括: 一第一半導體具有第一表面及第二表 一半導體薄層接合於第一表面,當偵 測到某一氣體時,其將會增加導電率; 一絕緣體薄層,其與該半導體薄層並 聯接在第一表面,在足夠的電壓之下,該 絕緣體薄層,可以通過穿透電流,而呈導 通狀態。 二電極,其由第二金屬形成之陽極, 係電連接於該第二表面,而其中第一金屬 形成之陰極,並聯接合該絕緣體薄層及半 導體薄層俾使該感測器,當未感測有某一 氣體時,該氣體感測器係呈ON狀態,於感 測到有該某一氣體時,該氣體感測器係呈 OFF 狀態。 2﹒如申論專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該第一半導體可為n/p+矽晶片。 3﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該第一表面可為n/p+矽晶片之n上 晶面。 4﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該第二表面可為n/p+矽晶片之p+下 晶面。 5﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該半導體薄層,可以為SnO2。 6﹒如申請專利範圍第5項所述之氣體感測器 ,其中該半導體薄層係可以用蒸著之方式 接合在第一表面上。 7﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該第一金屬可為Ag。 8﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測器 ,其中該第一金屬可為Au。 9﹒如申請專利範圍第7項所述之氣體感測器 ,其中該第一金屬,可以用蒸鍍的方法, 蒸鍍並聯該絕緣體與該半導體薄層。 10﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其中該第二金屬可為Al。 11﹒如申請專利範圍第10項所述之氣體感測 器,其中該第二金屬可以用蒸鍍的方式鍍 在第二表面。 12﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其中該絕緣體薄層可為SiO2。 13﹒如申請專利範圍第12項所述之氣體感測 器,其中該絕緣體薄層可用氧化的方式獲 得。 14﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其中該某一氣體可為氫氣(H2)。 15﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其中該某一氣體可為酒精氣體 (ethano1)。 16﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其絕緣體薄層之厚度可以介於25A─ 35A。 17﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其半導體薄層之厚度可以介於600A ─800A。 18﹒如申請專利範圍第1項所述之氣體感測 器,其中之氣體感測器更包括一直流電源 供應裝置。 19﹒如申請專利範圍第18項所述之氣體感測 器,其中之直流電源供應裝置,其供應實 値可以是2伏特(voltage)。 圖示簡單說明: 第一圖:係代表傳統電阻氣體感測器 (gas sens0r)結構。 第二圖:係示大電流氣體感測器 (MISS S gaS sens0r) (a) 空氣、(b) 200ppm酒精氣體及(c) 250ppm,氫氣在 室溫丁之I/V圖。 第三圖:係代表本案大電流氣體感測 器之結構圖。 第四圖:係代表當未感測到氣體時之 剖示能帶圖,其係可呈0N狀態。 第五圖:當感測到氣體時之剖示能帶 圖,其可在n一type區呈空乏區,故呈0FF 狀態。 |
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| 專利權異動 |
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| 申請案件狀態 |
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